2006年，台湾地区的物理所陈弘研究组采用InGaN的应力调制层，实现了对InGaN/GaN多量子阱的应力调制和控制，成功研制出单芯片白光发光器件。因为此方法不需要荧光粉，也不需要增加复杂的控制电路，所以制备过程与普通发光二极管相似。并且在常规的注入电流下（20mA－60mA），白光的显色指数几乎不变。

 

来源：发光二极管